±¹Á¦Å×Å©³ëÁ¤º¸¿¬±¸¼Ò ±â¼úÀÚ·á ÃâÆǺÎ


      ÆÄ¿ö MOSFET,IGBT,Áö´ÉÇü ÆÄ¿ö¸ðµâ(IPM)ÀÇ Çؼ³°ú ÀÀ¿ë
     
Àü·Â¼ÒÀÚ IGBT,IPM ÀÀ¿ë½Ç¹«

ÆÄ¿ö µð¹ÙÀ̽º(Àü·Â¿ë ¹ÝµµÃ¼)´Â ¸íÈ®ÇÑ Á¤ÀÇ´Â ¾øÁö¸¸ 1W ÀÌ»óÀÇ Àü·ÂÀ» Á¦¾îÇÒ ¼ö ÀÖ´Â ´É·ÂÀ» °¡Áø ¹ÝµµÃ¼¸¦ ÀÏÄ´´Ù. ÆÄ¿ö µð¹ÙÀ̽º´Â ¼öW¿¡¼­ GW±Þ±îÁöÀÇ Àü·Âº¯È¯À̳ª Á¦¾î¸¦ ÇÏ´Â ¹ÝµµÃ¼·Î, Á¤·ù ´ÙÀÌ¿Àµå, ¹ÙÀÌÆú·¯ Æ®·£Áö½ºÅÍ, »çÀ̸®½ºÅÍ, GTO, ´ÙÀ̾×, Æ®¶óÀ̾×, ÆÄ¿ö MOS FET, IGBT, IPM(Áö´ÉÇü ÆÄ¿ö¸ðµâ) µîÀÌ ³Î¸® ¾Ë·ÁÁ® ÀÖ´Ù.
ÆÄ¿ö µð¹ÙÀ̽º´Â ¹ÝµµÃ¼ Áß¿¡¼­µµ ¸Å¿ì ¿À·£ ¿ª»ç¸¦ °¡Áö°í ÀÖÀ¸¸ç, ±× ź»ýÀº ¾à 50³â ÀüÀ¸·Î °Å½½·¯ ¿Ã¶ó°£´Ù. À̸¦Å×¸é ¹ÙÀÌÆú·¯ Æ®·£Áö½ºÅÍ ¹ß¸íÀº 1947³â, »çÀ̸®½ºÅÍ´Â 1957³âÀ¸·Î, ´çÃÊ¿¡´Â Àú³»¾Ð, ¼Ò¿ë·®¿¡¼­ Ãâ¹ßÇÏ¿´°í, ±×ÈÄ ´«ºÎ½Ã°Ô Áøº¸¸¦ °ÅµìÇÏ¿© °í³»¾Ð, ´ëÀü·ù, °í¼Ó °íÁÖÆÄ, °í±â´ÉÈ­·Î ¹ßÀüµÇ¾ú´Ù. 1990³â ÀÌÈÄ ÆÄ¿ö MOS FET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor), IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor), IPM(Intelligent Power Module) µî, °í¼Ó MOS°è ÆÄ¿ö µð¹ÙÀ̽º ¹× ±×µéÀÇ ¸ðµâ Á¦Ç°ÀÌ ÃâÇöÇÔÀ¸·Î½á ±× ÀÀ¿ëºÐ¾ß°¡ ´Ü¼û¿¡ È®´ëµÇ¾ú´Ù.
ÆÄ¿ö µð¹ÙÀ̽ºÀÇ ÀÀ¿ë »ç·Ê¸¦ »ìÆ캸¸é, ¿ì¼± °¡Á¤¿¡¼­´Â ¿¡¾îÄÁ, ³ÃÀå°í, ¼¼Å¹±â, û¼Ò±â, Á¶±¤ÀåÄ¡ µîÀÇ ÀιöÅÍ ÀåÄ¡, IH(Induction Heating: À¯µµ°¡¿­) Á¶¸®±â¿¡´Â °íÁÖÆÄ ÀιöÅÍ¿ë IGBT°¡ »ç¿ëµÈ´Ù. TV ¼ö»ó±âÀÇ Àü¿øºÎ¿¡´Â MOS FET, ¼ÒÀÚȸ·Î¿¡ »çÀ̸®½ºÅÍ, Ä«¸Þ¶ó Ç÷¡½Ã¿¡´Â IGBT ¶Ç´Â IPMÀÌ ³Î¸® »ç¿ëµÇ°í ÀÖ´Ù. ±×¸®°í ¿äÁò¿¡´Â PDP(ÇöóÁ µð½ºÇ÷¹ÀÌ ÆгÎ)¿¡´Â ¼ö¸¹Àº MOS FET°¡ »ç¿ëµÇ°í ÀÖ´Ù.
±³Åë °ü·ÃºÐ¾ß¿¡¼­µµ »ìÆ캸¸é, ÆÄ¿ö µð¹ÙÀ̽ºÀÇ ÀÀ¿ëÀº ³Ê¹« ¸¹´Ù. ÇÏÀ̺긮µå Ä«(Hybrid Electric Car) ¸ðÅÍÀÇ ÀιöÅÍ¿Í ¹ßÀü±âÀÇ ÄÁ¹öÅÍ Á¦¾î¿ëÀ¸·Î, Á¾·ù¿¡ µû¶ó ¼ö¹é¿¡¼­ ¼öõ VA±ÞÀÇ IGBT¿Í IPMÀÌ »ç¿ëµÇ°í ÀÖ´Ù. ÀÚµ¿Â÷ ¿£ÁøÀÇ Á¡È­ÀåÄ¡¿¡´Â ¹ÙÀÌÆú·¯ Æ®·£Áö½ºÅͳª IGBT, Á¦¾î¿ë IC¸¦ 1ÆÐÅ°Áö¿¡ ¼ö¿ëÇÑ ÆÄ¿ö IC(¸ôµåÆÄ¿ö)°¡ »ç¿ëµÇ°í ÀÖ´Ù. ±× ¿Ü¿¡ ¹ÙÀÌÆú·¯ Æ®·£Áö½ºÅÍ, ÆÄ¿ö MOS FET µîÀ» ¹Ú¸· ±âÆÇ»ó¿¡ Á¶¸³ÇÑ HIC ¹× 1ĨȭµÈ ½º¸¶Æ®ÆÄ¿ö IC µî, ÆÄ¿ö µð¹ÙÀ̽º°¡ Â÷·® Á¦¾î°èÅë°ú Çìµå·¥ÇÁ, ÆÄ¿ö À©µµ¿ì, ÆÄ¿ö½ÃÆ®, ¹Ì·¯ µî °÷°÷¿¡ »ç¿ëµÇ°í ÀÖ´Ù. µµ·Î¿¡´Â ±³Åë½ÅÈ£ ·¥ÇÁÀÇ Á¡µî Á¦¾î¸¦ ºñ·ÔÇÏ¿©, µµ·Î Ç¥½ÃÆÇÀÇ ·¥ÇÁ Á¦¾î¿¡ IGBT, »çÀ̸®½ºÅÍ µîÀÌ »ç¿ëµÇ°í ÀÖ´Ù. Ç×°ø°ú öµµ°ü·ÃÀÇ Àüµ¿Â÷¿Í ÀüöÀÇ Á¦¾î¿¡´Â °í³»¾Ð IGBT(HV IGBT) ¸ðµâ, GTO, ±¸µ¿°ú º¸È£ ¹× ÀÚ±âÁø´Üȸ·Î¸¦ ³»ÀåÇÑ HV IPM µîÀÇ MOS°è ÆÄ¿ö µð¹ÙÀ̽º°¡ ÁÖ·ùÀÌ´Ù.
»ç¹«½Ç°ú °øÀå¿¡µµ µµÃ³¿¡ ÆÄ¿ö µð¹ÙÀ̽º°¡ »ç¿ëµÇ°í ÀÖ´Ù. ¿¹¸¦ µé¸é, ¿¤¸®º£ÀÌÅÍ Á¦¾î¿¡´Â IGBT ¸ðµâÀ̳ª IPMÀÌ ºÒ°¡ÇÇÇÏ´Ù. ÃÊ°íÃþ ºôµù¿¡¼­ ºÐ¼Ó 750~900mÀÇ ¿¤¸®º£ÀÌÅÍ Á¦¾î¿¡´Â 1200V, 600A±ÞÀÇ IGBT ¸ðµâÀÌ »ç¿ëµÇ¸ç, ºôµùÀÇ ¿Á»ó¿¡ Á¦¾î½ÇÀ» °®ÃßÁö ¾ÊÀº ±â°è½Ç ¿¡¸®º£ÀÌÅÍ¿¡´Â Á¦¾î¹ÝÀ» ½½¸²À¸·Î ¼³°èÇÒ ¼ö ÀÖ´Â IPMÀÌ »ç¿ëµÇ°í ÀÖ´Ù.
Çü±¤µîÀÇ ÀιöÅÍ¿¡´Â MOS FET, ¾ÈÀü º¸¾È¿ëÀÇ È­Àç°æº¸±â, ´©ÀüÂ÷´Ü±â, ºñ»óµî, ¹«Á¤ÀüÀåÄ¡(UPS, CVCF ÀιöÅÍ), Àü·ÂÀ» Àý¾àÇϱâ À§ÇÑ ¸ñÀûÀÇ ÆÄ¿ö¼¼À̺ê ȸ·Î, ½ÉÁö¾î ÇÁ¸°ÅÍ CRT ¸ð´ÏÅÍ, FAX, ÀüÈ­¿¡µµ IGBT, IPM µîÀÇ ÆÄ¿ö µð¹ÙÀ̽º°¡ »ç¿ëµÇ°í ÀÖ´Ù. °øÀå¿¡¼­´Â ÇÁ·Î±×·¡¸Óºí ·ÎÁ÷ ÄÁÆ®·Ñ·¯(PLC), ·Îº¿ °ü·Ã Á¦¾îÀåÄ¡, ÄÄÇ»ÅÍ Á¦¾î °øÀÛ±â°è(CNC), Å©·¹ÀÎ, È£À̽ºÆ®, º§Æ®ÄÁº£À̾î, ÀÚµ¿¹Ý¼Û±â°è µîÀÇ ¸ðÅÍ Á¦¾î¿ë ÀιöÅÍ¿¡´Â IPM°ú IGBT´Â ÇʼöÀûÀÌ´Ù.
ÀÌ ¿Ü¿¡ Á¦·Ã¼Ò³ª Á¦Áö°øÀåÀÇ ¾Ð¿¬±â¿¡´Â ¼öõ kW ÀÌ»óÀÇ ÀιöÅÍ°¡ ÇÊ¿äÇϸç, ¿©±â¿¡´Â ´ë¿ë·® GTO, IGCT, °í³»¾Ð IGBT ¸ðµâÀÌ »ç¿ëµÇ°í ÀÖ´Ù. À¯µµ°¡¿­°ú °íÁÖÆÄ °¡¿­ÀåÄ¡, ´ÙÀ̺»µù, ¿ÍÀ̾µù ÀåÄ¡, Çöó½ºÆ½ ¼ºÇü±â, dz·Â¹ßÀü ¹× ž籤 ¹ßÀüÀÇ ÄÁ¹öÅÍ¿¡´Â 1200V~1700V, 800A±ÞÀÇ IPMÀ̳ª IGBT°¡ »ç¿ëµÇ¸ç, ¸¶ÀÌÅ©·Î°¡½ºÅͺóÀ̳ª ¿¬·áÀüÁö µî¿¡µµ IPM ¶Ç´Â IGBT ¸ðµâ µîÀÇ ÆÄ¿ö µð¹ÙÀ̽º°¡ »ç¿ëµÇ°í ÀÖ´Ù. X¼±ÀåÄ¡, MRI, CT¿Í °°Àº ÀÇ·á±â±âÀÇ Àü¿øºÎ¿¡´Â °í¼Ó IGBT ¸ðµâ µîÀÌ »ç¿ëµÇ°í ÀÖ´Ù. ÀÌ¿Í °°ÀÌ, ÀϺο¡ Áö³ªÁö ¾ÊÀº »ç·Ê¸¦ µé¾úÁö¸¸, °íÀü¾Ð ´ëÀü·ù¸¦ Ãë±ÞÇÏ´Â Àü±âÀÀ¿ë ±â±â·ù´Â ´ëºÎºÐÀÌ ÆÄ¿ö µð¹ÙÀ̽º°¡ ÇÙ½É ºÎÇ°À¸·Î »ç¿ëµÇ°í ÀÖ´Ù.
Áö±Ý±îÁöÀÇ ÆÄ¿ö¼ÒÀÚ¶ó°í ÇÏ¸é »çÀ̸®½ºÅͳª Æ®¶óÀ̾×, ÆÄ¿ö Æ®·£Áö½ºÅÍ µîÀÌ ÀϹÝÀûÀ̾ú´Ù. ÇöÀçÀÇ ÆÄ¿ö¼ÒÀÚ´Â ÆÄ¿ö MOS FET³ª IGBT, IPMÀ¸·Î·Î º¯È­µÇ¾î°¡°í ÀÖ´Ù. ´õ±¸³ª »ç¿ëÇϱ⠽¬¿öÁø IPM°ú Æ®·»Ä¡ IPMÀÌ »õ·Î¿î Á¦Ç° ¼³°èÀÇ ÁÖ·ù·Î ÀÚ¸®Àâ¾Æ°¡°í ÀÖ´Ù.
ÀÌ·¸°Ô ¹«±Ã¹«ÁøÇÑ ÆÄ¿ö¼ÒÀÚÀÇ ÀÀ¿ë¿¡ ´ëÇÑ Àü¹®¼­´Â Áö±Ý±îÁö °ÅÀÇ Ã£¾Æ º¼ ¼ö ¾ø¾ú´Ù. º»¼­¿¡¼­´Â ÃÖ±Ù ÆÄ¿ö¼ÒÀÚÀÇ ÁÖ·ùÀÎ IGBT¿Í IPMÀ» Áß½ÉÀ¸·Î ±âº» ¼³°è¹ý°ú ½Ã½ºÅÛ ÀÀ¿ë¼³°è ±â¹ý¿¡ ´ëÇØ ½Ç·Ê¸¦ ÅëÇÏ¿© ½Éµµ±í°Ô Çؼ³ÇÑ´Ù.

±â¼úÀÚ·á ½Åû ¾È³»


ÁÖ¿ä ³»¿ë

¡á ÆÄ¿ö µð¹ÙÀ̽ºÀÇ Á¦Ç° ±â¼ú µ¿Çâ

¡á Power MOS FET¿Í IGBTÀÇ ±¸Á¶ Çؼ³

¡á MOS°è Àü·Â¼ÒÀÚÀÇ Æ¯¼ºÀ» º¸´Â ¹æ¹ý

¡á MOS FET, IGBTÀÇ µå¶óÀ̺ê ȸ·Î ¼³°è¹ý

¡á ÆÄ¿ö µð¹ÙÀ̽ºÀÇ º¸È£¿Í ´ëÀü·ÂÈ­ ±â¹ý

¡á ÆÄ¿ö µð¹ÙÀ̽º ÀÀ¿ëȸ·ÎÀÇ ±âº»

¡á Çü±¤µî ȸ·Î¿¡ ÆÄ¿ö MOS FETÀÇ ÀÀ¿ë

¡á Àü·ÂÁ¦¾î¿ë ÀÎÅÚ¸®ÀüÆ® ÆÄ¿ö¼ÒÀÚÀÇ »ç¿ë¹ý

¡á IGBT, IPMÀÇ ¹ü¿ë ÀιöÅÍ¿¡ ´ëÇÑ ÀÀ¿ë

¡á ÀιöÅÍ ¿¡¾îÄÁÀÇ IPM ÀÀ¿ë±â¼ú

¡á ¼¼Å¹±â¿¡ IPMÀ» ÀÀ¿ëÇÑ ½Ã½ºÅÛ ±¸¼º°ú Çؼ³

¡á ž籤 ¹ßÀü ½Ã½ºÅÛ¿¡ IPM ÀÀ¿ë±â¼ú

±â¼úÀÚ·á ½Åû ¾È³»


         °ü·Ã ÀÚ·á ¸ñ·Ï           ¹ß°£¿¹Á¤ °ü·Ã ÀÚ·á         ±¹Á¦Å×Å©³ëÁ¤º¸¿¬±¸¼Ò ±â¼úÀÚ·á ÃâÆǺÎ