NEWS 1999년 3월

F₂ 레이저 스테퍼 2003년 제품화

일본 최대의 스테퍼 업체인 니콘이 0.1~0.07μm의 반도체회로 배선 패턴을 형성할 수 있는 불소다이머(F₂) 레이저 스테퍼를 오는 2003년까지 제품화한다고 "일경산업신문"이 보도했다.
F₂ 스테퍼는 파장 170nm의 레이저를 광원으로 하는 장치로 기술적으로는 현재 주류인 불화크립톤(KrF)과 차세대형인 불화아르곤(ArF) 엑시머 레이저 스테퍼의 연장선상에 있다.

나콘은 F₂ 스테퍼를 이미 마무리 개발단계에 들어간 전자빔(EB) 스테퍼와 함께 포스트 엑시머 스테퍼로 시장에 내놓을 계획인데 두 가지 방식의 스테퍼를 출하함으로써 점유율을 높이는 동시에 사업 위험을 최소화할 방침이다.

니콘은 오는 2001년까지 F₂ 스테퍼 제품화에 필요한 축소투영광학계의 핵심기술을 확립하고 2003년 연구개발용, 2005년에는 양산설비용으로 출하할 계획이다.

F₂ 스테퍼는 핵심기술이 기존 노광기술의 연장선상에 있기 때문에 처리능력이 KrF, ArF와 비슷한 200mm 웨이퍼 환상 시간당 90~100장 정도로 비교적 높은 편이나 같은 이유로 배선폭은 0.07μm급이 한계이다.

이에 반해, EB 스테퍼는 선폭 0.1~0.05μm까지 대응할 수 있으나 처리능력은 현시점에서는 시간당 40장 정도가 한계이다.

세계 반도체 업체들이 포스트 엑시머 스테퍼로 EB와 F₂ 가운데 어느 것을 선택할지는 아직 미정이나 현시점에서는 ArF에서 F₂를 거쳐 EB로 진행되는 경우와 EB 스테퍼의 처리능력 향상으로 ArF에서 바로 EB로 이행되는 경우를 가정할 수 있다. 이 때문에 니콘은 두 가지 방식의 스테퍼를 모두 개발, 출시하기로 결정한 것이다.

니콘의 반도체 제조장비사업 부문을 회사 전체 매출의 5% 정도를 차지하는데 특히 스테퍼에 가장 큰 비중을 두고 있어 스테퍼의 판매동향이 전체 실적을 좌우한다.

따라서 니콘으로서는 포스트형 스테퍼 개발투자비가 다소 중복되더라도 두 방식의 스테퍼를 모두 개발해 리스크를 최소화하고 점유율을 확대함으로써 증장기적으로 스테퍼 사업을 안정시킬 필요가 있다고 판단한 것이다.

한편, 스테퍼는 반도체의 고속, 대용량화에 맞춰 가공기술의 미세화가 진행돼 왔는데, 주요 반도체인 D램 선폭의 경우 현재 0.25μm에서 0.18μm으로 이해하는 단계에 있다.