2001년 11월호
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포항공대, 차세대 반도체 메모리 F램 소자 개발 약 650억회의 반복적인 쓰기·읽기 동작에도 정보가 손실되지 않는 PZT 박막 소자의 치명적 결함인 전기적 피로현상을 완전히 해결한 획기적 성능의 비휘발성 강유전 메모리 소자인 F램 메모리 소자가 국내 연구진에 의해 처음으로 개발됐다...
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